A Samsung Foundry bejelentette, hogy megkezdte a 3 nanométeres chipek első generációjának tömeggyártását. A telefonokba szánt lapkák előállítása az úgynevezett Gate-All-Around architektúrának megfelelően zajlik, amely a korábbi FinFET eljárást váltja. A most alkalmazásra kerülő Gate-All Around architektúra egyebek mellett lehetővé teszi a chipgyártók számára, hogy anélkül csökkentsék a tranzisztorok méretét, hogy azoknak sérülne az áramtovábbító [...]